來源：新浪VR

8月4日，由中信建投證券研究發(fā)展部與金沙江資本聯(lián)合舉辦的“中國第三代半導體發(fā)展機遇交流峰會”成功舉辦。

中芯國際創(chuàng)始人兼原CEO、上海新昇原總經理、現(xiàn)芯恩（青島）創(chuàng)始人兼董事長、中國半導體奠基人張汝京博士受邀擔任發(fā)言嘉賓，發(fā)言完整版音頻和紀要文字如下：

張汝京：先和大家討論一下第一代、第二代、第三代半導體的科普。

（1）第一代半導體最早用的是鍺，后來變成硅，因為產量多，技術開發(fā)得也很好，所以現(xiàn)在鍺很少用到，都是用硅。到了40nm以下，鍺又出現(xiàn)了，和鍺硅做通道可以讓電子流速度很快，所以第一代半導體材料硅是最常用的，現(xiàn)在用的鍺硅在特殊通道材料是用得到的，將來也有一些會用到碳，這是將來的發(fā)展，其實是周期表里面四價的材料。

（2）第二代復合物常用的是砷化鎵和磷化銦，功率放大器里面用得不錯，但是砷有毒，很多地方不允許使用，所以第二代是高速的功率放大器用得多，LED里也用到。

（3）第三代出現(xiàn)更好的，也是化合物，有碳化硅、氮化鎵、氮化鋁等。碳化硅現(xiàn)在用在高電壓、大功率等上面有特別的優(yōu)勢，氮化鎵用在高頻的功放器件用得很多，氮化鋁有特殊的用途，基本上民用較少。

（4）另外還有半導體是比較特別的，不知道算第幾代，第二代就出現(xiàn)了，第三代里面也有，2-6族周期表里2b和6a配合起來的，用途非常特別，比較難做。

圓桌論壇環(huán)節(jié)

　提問：18年中芯和19年華為實體名單以來，半導體產業(yè)最熱的幾個詞可能是國產化、國產替代，再者是彎道超車，同時近兩年整個中國半導體產業(yè)面臨著美國各個層面的封鎖，半導體設備和芯片層面的供應面臨風險，請問四位嘉賓怎么看待當前逆全球化和技術封鎖的背景下，中國半導體產業(yè)的國產替代和彎道超車？

　張汝京：我不太了解為什么要彎道超車，直道就不能超車嗎？

其實隨時可以超車，所以以后盡量不要用彎道超車，彎道超車是花時間花精神、不是捷徑的方法。

目前美國對中國的高科技很多限制，但這不是從現(xiàn)在才開始的。

2000年以前西方國家有三個不同會議，最早的巴統(tǒng)，第二個叫庫卡，最近出現(xiàn)的叫瓦森納，都是針對高科技的技術、材料、設備對某一些國家設限制。

2000年的時候我們回到大陸蓋Foundry廠的時候這些限制還存在，但是小布什政府對于中國還是比較支持的，逐漸開放。當時中芯國際從0.18微米的技術設備跟產品引到大陸都要申請許可，得到美國政府四個不同部門的會簽，第一個是美國國務院，第二是美國商務部，第三是美國國防部，第四個是美國能源部。這個限制一直存在，2000年以后逐漸減少，我們就從0.18、0.13微米申請到90nm、65nm、45nm都申請到了，45nm技術還是從IBM轉過來，當時是非常先進的技術。45nm以后我們又申請到了32nm，延伸到28nm，都是一步步申請到。十幾年里面做了很多世代上的突破。到了28nm本人離開中芯國際，后面沒有申請可能不需要了。

但是對于設備的限制，美國不同的總統(tǒng)會定不同的策略，特朗普的策略是最苛刻的，這次的難點在商務部，之前的難點在國防部，主要是美國在5G落后于中國，希望放慢中國發(fā)展5G的腳步。

這不是第一次，1980年代日本存儲器比美國進步得多，技術良率設計都領先，美國就給了日本很多限制，定了一個廣場協(xié)定，日本結果除了東芝存儲器還在苦撐以外其他基本都沒有了。邏輯上面日本沒有領先，日本領先的是模擬和數(shù)模混合，用在功率上面尤其是用在汽車高鐵領域器件做得不錯，當時日本受到了很大的制約，慢下來了，但是并沒有停，做的是材料和設備非常領先，譬如說大硅片，全世界51%的份額都是日本的，信越和村口兩家占了全世界一半以上。很多光刻膠，特殊化學品材料日本還是領先，設備上光刻機還是領先，基本的設備都有，日本在受到打擊之后技術上受到了很大的限制，甚至存儲器就不存在了。

但這次美國發(fā)現(xiàn)中國造成了很大的競爭壓力，美國開始在5G通訊方面要制約，因為中國的確領先了很多。

如果5G中國領先很多，將來在通訊、人工智能、云端服務等，中國就會大大超前，中國本身在高科技的應用上面是很強的。最近沸沸揚揚的TikTok比美國的Facebook要好得多，有很多特殊的功能，受到很多美國年輕人的喜歡。

美國競爭不過的時候就會用行政的方式，80年代對日本做了一次，近幾年開始對5G制約，但是這一次制約的對象是中國，制約的能力也沒有那么強了，但也不能掉以輕心。

在5G里常常都會用到第三代半導體，比如很多高頻芯片用的材料是氮化鎵，頻率非常高，耐高壓、耐高溫都很好，比如無人駕駛汽車、充電樁等用得碳化硅也是第三代，用得非常多，這些美國會對中國禁運。

碳化硅是非常好的材料，有三個階段都是可以卡脖子的地方：

（1）材料，碳化硅的單晶，2寸、3寸、4寸用了很久，現(xiàn)在5寸、6寸已經出來了，8寸也就少量出來，現(xiàn)在用得最多的是4寸和6寸，材料是一個很重要的資源；

（2）外延片：有了材料第二階段找外延片，也是特別的技術，做得好器件就非常好；

（3）第三階段生產各式各樣的功率半導體，用途很多，新能源汽車、動車高壓的功率器件超過3000伏以上最好使用碳化硅，這些我們還比較弱。

提問：第三代半導體按什么發(fā)展規(guī)律來發(fā)展的？比如第一代半導體以Design House+Foundry為主，第二代半導體很大程度上還是IDM模式。

　　張汝京：第三代半導體是后摩爾定律時代，線寬不是很小，設備不特別貴，但它的材料不容易做，設計上要有優(yōu)勢，投資也不需要很大。

需要考慮的是，市場、投資回報率、政府支持度、好的技術團隊，真正有經驗的人在我們國內并不夠。

第三代半導體，拿SiC來講，市場非常大，因為新能源車里要用很多，特斯拉的Model 3里開始用。這些功率模組是意法半導體、英飛凌這兩家，而這兩家基本上都是IDM公司，他做得很好，看起來第三代半導體里較大公司都是IDM公司，從頭到尾產業(yè)鏈是一家負責的話，做出來效率較高。但是也有Design House+Foundry模式。

個人覺得第三代半導體IDM現(xiàn)在是主流，但是Foundry照樣有機會，重點是要有長期合作的設計公司。

如果資本市場愿意投入資本，這個投資并不需要很多就可以做，重點是人才，我們國內現(xiàn)在不太夠，美國、日本、韓國、臺灣等都有所需人才，中國大陸也有些研究機構，如果愿意進到生產業(yè)界也是很好的。分析韓國三星做的好的原因（IDM代表公司），財力雄厚，眼光很遠的，雖然國內市場不大，但技術、開發(fā)材料、設備等去全產業(yè)從頭做到尾，如果受到制約，除了光刻機，其他環(huán)節(jié)都沒問題。

基本上第一代第二代第三代半導體產品，他都能夠生產，而且具有很大的競爭力。在臺灣是有一家技術能力可以做到三星，但除了技術以外，對材料、設備不太去發(fā)展，因為不覺得會被海外市場卡脖子。

中國大陸不一樣，很多不友好的國家和地區(qū)會卡脖子，所以一定要自己把這些技術開發(fā)出來。

我再強調下，第三代半導體投資并不是很大（能夠有一個像樣的規(guī)模，個人覺得第三階段，如果有材料、外延片來做這個器件的話，如果用一個6吋來做，大概20-70億規(guī)模都可以賺錢。如果做外延投資大概只要不到10億，設備也不難，原材料國內的山東天岳等都不錯，否則向日本、德國買都買得到，也不貴。

我估計一個工廠，不算廠房土地，設備10-20億就可以。

提問：半導體制造在過去20年取得了發(fā)展，但是和海外仍有差距，如何看待這種差距，尤其第三代半導體？

張汝京：我們封裝和設計很強，裝備差距也不大（前幾年看國內的公司，材料的4吋的和海外差距不大，6吋也不大，外延片很快也可以縮短），至于第三段，設計這塊跟邏輯相比也不是很難，設計和工藝的配合比較重要。

但是做到射頻方面，海外頂尖的日本的TDK、Murata等很強，還有一些海外小公司也不容忽視，我們相比還有差距。

請大家注意一下，剛剛有提到說，有很多小公司、新的公司做得是不錯的，比如說在美國加州一個小公司叫納維塔斯，不曉得有沒有被人家買掉，前一段時間我看他們做的是不錯的。法國也有一家公司被ST、Micron買了。

剛剛也提到，以色列還是有很多好公司可以去考慮的，因為這種主要是人才，這個人才也不需要很多，幾個好手來了，把我們這邊的年輕人教會，我們幾乎可以并駕齊驅。要考慮短時間之內人才基礎，這是我們一個弱點，基礎可能做了，但是基礎跟應用之間有一個gap，怎么去把它縮短？歐美公司做得比較好一點，我們就借用他們的長處來學習。

所以我感覺差距不是那么大，沒有邏輯差得這么大，也沒有存儲器差距這么大，可以追得上的。

所以要下決心找到合適的團隊。做這個行業(yè)里面是很寂寞，艱苦的，要有很強的信仰的力量來支撐我們，我們就可以把它做出來。所以我是樂觀，相信我們追得上。

　　嘉賓簡介

張汝京，曾在德州儀器工作了20年。他成功地在美國、日本、新加坡、意大利及中國臺灣地區(qū)創(chuàng)建并管理了10個工廠的技術開發(fā)及IC運作。

2000年4月，張汝京來到上海創(chuàng)辦中芯國際并擔任CEO，目標是成為一流水平的晶圓代工廠，張汝京已經帶領中芯國際在上海蓋了3座8寸晶圓廠，又買下摩托羅拉在天津的一座8寸廠，另外，在北京的一座12寸晶圓廠也已經投產。

2009年11月10日，中芯國際創(chuàng)始人兼CEO張汝京宣布辭職，正式進入LED研發(fā)制造及LED相關應用產品領域，短短3年不到的時間內，已經在國內投資了4家LED企業(yè)，涵蓋LED上游襯底材料、芯片和下游照明應用領域，投資金額超過35億元，致力于環(huán)保與健康領域。

畢業(yè)于臺灣大學，于布法羅紐約州立大學獲得工程學碩士學位，并在南方衛(wèi)理公會大學獲得電子工程博士學位。