來(lái)源：新浪VR

8月4日，由中信建投證券研究發(fā)展部與金沙江資本聯(lián)合舉辦的“中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展機(jī)遇交流峰會(huì)”成功舉辦。

中芯國(guó)際創(chuàng)始人兼原CEO、上海新昇原總經(jīng)理、現(xiàn)芯恩（青島）創(chuàng)始人兼董事長(zhǎng)、中國(guó)半導(dǎo)體奠基人張汝京博士受邀擔(dān)任發(fā)言嘉賓，發(fā)言完整版音頻和紀(jì)要文字如下：

張汝京：先和大家討論一下第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體的科普。

（1）第一代半導(dǎo)體最早用的是鍺，后來(lái)變成硅，因?yàn)楫a(chǎn)量多，技術(shù)開(kāi)發(fā)得也很好，所以現(xiàn)在鍺很少用到，都是用硅。到了40nm以下，鍺又出現(xiàn)了，和鍺硅做通道可以讓電子流速度很快，所以第一代半導(dǎo)體材料硅是最常用的，現(xiàn)在用的鍺硅在特殊通道材料是用得到的，將來(lái)也有一些會(huì)用到碳，這是將來(lái)的發(fā)展，其實(shí)是周期表里面四價(jià)的材料。

（2）第二代復(fù)合物常用的是砷化鎵和磷化銦，功率放大器里面用得不錯(cuò)，但是砷有毒，很多地方不允許使用，所以第二代是高速的功率放大器用得多，LED里也用到。

（3）第三代出現(xiàn)更好的，也是化合物，有碳化硅、氮化鎵、氮化鋁等。碳化硅現(xiàn)在用在高電壓、大功率等上面有特別的優(yōu)勢(shì)，氮化鎵用在高頻的功放器件用得很多，氮化鋁有特殊的用途，基本上民用較少。

（4）另外還有半導(dǎo)體是比較特別的，不知道算第幾代，第二代就出現(xiàn)了，第三代里面也有，2-6族周期表里2b和6a配合起來(lái)的，用途非常特別，比較難做。

圓桌論壇環(huán)節(jié)

　提問(wèn)：18年中芯和19年華為實(shí)體名單以來(lái)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最熱的幾個(gè)詞可能是國(guó)產(chǎn)化、國(guó)產(chǎn)替代，再者是彎道超車，同時(shí)近兩年整個(gè)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨著美國(guó)各個(gè)層面的封鎖，半導(dǎo)體設(shè)備和芯片層面的供應(yīng)面臨風(fēng)險(xiǎn)，請(qǐng)問(wèn)四位嘉賓怎么看待當(dāng)前逆全球化和技術(shù)封鎖的背景下，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)替代和彎道超車？

　張汝京：我不太了解為什么要彎道超車，直道就不能超車嗎？

其實(shí)隨時(shí)可以超車，所以以后盡量不要用彎道超車，彎道超車是花時(shí)間花精神、不是捷徑的方法。

目前美國(guó)對(duì)中國(guó)的高科技很多限制，但這不是從現(xiàn)在才開(kāi)始的。

2000年以前西方國(guó)家有三個(gè)不同會(huì)議，最早的巴統(tǒng)，第二個(gè)叫庫(kù)卡，最近出現(xiàn)的叫瓦森納，都是針對(duì)高科技的技術(shù)、材料、設(shè)備對(duì)某一些國(guó)家設(shè)限制。

2000年的時(shí)候我們回到大陸蓋Foundry廠的時(shí)候這些限制還存在，但是小布什政府對(duì)于中國(guó)還是比較支持的，逐漸開(kāi)放。當(dāng)時(shí)中芯國(guó)際從0.18微米的技術(shù)設(shè)備跟產(chǎn)品引到大陸都要申請(qǐng)?jiān)S可，得到美國(guó)政府四個(gè)不同部門(mén)的會(huì)簽，第一個(gè)是美國(guó)國(guó)務(wù)院，第二是美國(guó)商務(wù)部，第三是美國(guó)國(guó)防部，第四個(gè)是美國(guó)能源部。這個(gè)限制一直存在，2000年以后逐漸減少，我們就從0.18、0.13微米申請(qǐng)到90nm、65nm、45nm都申請(qǐng)到了，45nm技術(shù)還是從IBM轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，當(dāng)時(shí)是非常先進(jìn)的技術(shù)。45nm以后我們又申請(qǐng)到了32nm，延伸到28nm，都是一步步申請(qǐng)到。十幾年里面做了很多世代上的突破。到了28nm本人離開(kāi)中芯國(guó)際，后面沒(méi)有申請(qǐng)可能不需要了。

但是對(duì)于設(shè)備的限制，美國(guó)不同的總統(tǒng)會(huì)定不同的策略，特朗普的策略是最苛刻的，這次的難點(diǎn)在商務(wù)部，之前的難點(diǎn)在國(guó)防部，主要是美國(guó)在5G落后于中國(guó)，希望放慢中國(guó)發(fā)展5G的腳步。

這不是第一次，1980年代日本存儲(chǔ)器比美國(guó)進(jìn)步得多，技術(shù)良率設(shè)計(jì)都領(lǐng)先，美國(guó)就給了日本很多限制，定了一個(gè)廣場(chǎng)協(xié)定，日本結(jié)果除了東芝存儲(chǔ)器還在苦撐以外其他基本都沒(méi)有了。邏輯上面日本沒(méi)有領(lǐng)先，日本領(lǐng)先的是模擬和數(shù)?；旌?，用在功率上面尤其是用在汽車高鐵領(lǐng)域器件做得不錯(cuò)，當(dāng)時(shí)日本受到了很大的制約，慢下來(lái)了，但是并沒(méi)有停，做的是材料和設(shè)備非常領(lǐng)先，譬如說(shuō)大硅片，全世界51%的份額都是日本的，信越和村口兩家占了全世界一半以上。很多光刻膠，特殊化學(xué)品材料日本還是領(lǐng)先，設(shè)備上光刻機(jī)還是領(lǐng)先，基本的設(shè)備都有，日本在受到打擊之后技術(shù)上受到了很大的限制，甚至存儲(chǔ)器就不存在了。

但這次美國(guó)發(fā)現(xiàn)中國(guó)造成了很大的競(jìng)爭(zhēng)壓力，美國(guó)開(kāi)始在5G通訊方面要制約，因?yàn)橹袊?guó)的確領(lǐng)先了很多。

如果5G中國(guó)領(lǐng)先很多，將來(lái)在通訊、人工智能、云端服務(wù)等，中國(guó)就會(huì)大大超前，中國(guó)本身在高科技的應(yīng)用上面是很強(qiáng)的。最近沸沸揚(yáng)揚(yáng)的TikTok比美國(guó)的Facebook要好得多，有很多特殊的功能，受到很多美國(guó)年輕人的喜歡。

美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)不過(guò)的時(shí)候就會(huì)用行政的方式，80年代對(duì)日本做了一次，近幾年開(kāi)始對(duì)5G制約，但是這一次制約的對(duì)象是中國(guó)，制約的能力也沒(méi)有那么強(qiáng)了，但也不能掉以輕心。

在5G里常常都會(huì)用到第三代半導(dǎo)體，比如很多高頻芯片用的材料是氮化鎵，頻率非常高，耐高壓、耐高溫都很好，比如無(wú)人駕駛汽車、充電樁等用得碳化硅也是第三代，用得非常多，這些美國(guó)會(huì)對(duì)中國(guó)禁運(yùn)。

碳化硅是非常好的材料，有三個(gè)階段都是可以卡脖子的地方：

（1）材料，碳化硅的單晶，2寸、3寸、4寸用了很久，現(xiàn)在5寸、6寸已經(jīng)出來(lái)了，8寸也就少量出來(lái)，現(xiàn)在用得最多的是4寸和6寸，材料是一個(gè)很重要的資源；

（2）外延片：有了材料第二階段找外延片，也是特別的技術(shù)，做得好器件就非常好；

（3）第三階段生產(chǎn)各式各樣的功率半導(dǎo)體，用途很多，新能源汽車、動(dòng)車高壓的功率器件超過(guò)3000伏以上最好使用碳化硅，這些我們還比較弱。

提問(wèn)：第三代半導(dǎo)體按什么發(fā)展規(guī)律來(lái)發(fā)展的？比如第一代半導(dǎo)體以Design House+Foundry為主，第二代半導(dǎo)體很大程度上還是IDM模式。

　　張汝京：第三代半導(dǎo)體是后摩爾定律時(shí)代，線寬不是很小，設(shè)備不特別貴，但它的材料不容易做，設(shè)計(jì)上要有優(yōu)勢(shì)，投資也不需要很大。

需要考慮的是，市場(chǎng)、投資回報(bào)率、政府支持度、好的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，真正有經(jīng)驗(yàn)的人在我們國(guó)內(nèi)并不夠。

第三代半導(dǎo)體，拿SiC來(lái)講，市場(chǎng)非常大，因?yàn)樾履茉窜嚴(yán)镆煤芏?，特斯拉的Model 3里開(kāi)始用。這些功率模組是意法半導(dǎo)體、英飛凌這兩家，而這兩家基本上都是IDM公司，他做得很好，看起來(lái)第三代半導(dǎo)體里較大公司都是IDM公司，從頭到尾產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)且患邑?fù)責(zé)的話，做出來(lái)效率較高。但是也有Design House+Foundry模式。

個(gè)人覺(jué)得第三代半導(dǎo)體IDM現(xiàn)在是主流，但是Foundry照樣有機(jī)會(huì)，重點(diǎn)是要有長(zhǎng)期合作的設(shè)計(jì)公司。

如果資本市場(chǎng)愿意投入資本，這個(gè)投資并不需要很多就可以做，重點(diǎn)是人才，我們國(guó)內(nèi)現(xiàn)在不太夠，美國(guó)、日本、韓國(guó)、臺(tái)灣等都有所需人才，中國(guó)大陸也有些研究機(jī)構(gòu)，如果愿意進(jìn)到生產(chǎn)業(yè)界也是很好的。分析韓國(guó)三星做的好的原因（IDM代表公司），財(cái)力雄厚，眼光很遠(yuǎn)的，雖然國(guó)內(nèi)市場(chǎng)不大，但技術(shù)、開(kāi)發(fā)材料、設(shè)備等去全產(chǎn)業(yè)從頭做到尾，如果受到制約，除了光刻機(jī)，其他環(huán)節(jié)都沒(méi)問(wèn)題。

基本上第一代第二代第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品，他都能夠生產(chǎn)，而且具有很大的競(jìng)爭(zhēng)力。在臺(tái)灣是有一家技術(shù)能力可以做到三星，但除了技術(shù)以外，對(duì)材料、設(shè)備不太去發(fā)展，因?yàn)椴挥X(jué)得會(huì)被海外市場(chǎng)卡脖子。

中國(guó)大陸不一樣，很多不友好的國(guó)家和地區(qū)會(huì)卡脖子，所以一定要自己把這些技術(shù)開(kāi)發(fā)出來(lái)。

我再?gòu)?qiáng)調(diào)下，第三代半導(dǎo)體投資并不是很大（能夠有一個(gè)像樣的規(guī)模，個(gè)人覺(jué)得第三階段，如果有材料、外延片來(lái)做這個(gè)器件的話，如果用一個(gè)6吋來(lái)做，大概20-70億規(guī)模都可以賺錢(qián)。如果做外延投資大概只要不到10億，設(shè)備也不難，原材料國(guó)內(nèi)的山東天岳等都不錯(cuò)，否則向日本、德國(guó)買都買得到，也不貴。

我估計(jì)一個(gè)工廠，不算廠房土地，設(shè)備10-20億就可以。

提問(wèn)：半導(dǎo)體制造在過(guò)去20年取得了發(fā)展，但是和海外仍有差距，如何看待這種差距，尤其第三代半導(dǎo)體？

張汝京：我們封裝和設(shè)計(jì)很強(qiáng)，裝備差距也不大（前幾年看國(guó)內(nèi)的公司，材料的4吋的和海外差距不大，6吋也不大，外延片很快也可以縮短），至于第三段，設(shè)計(jì)這塊跟邏輯相比也不是很難，設(shè)計(jì)和工藝的配合比較重要。

但是做到射頻方面，海外頂尖的日本的TDK、Murata等很強(qiáng)，還有一些海外小公司也不容忽視，我們相比還有差距。

請(qǐng)大家注意一下，剛剛有提到說(shuō)，有很多小公司、新的公司做得是不錯(cuò)的，比如說(shuō)在美國(guó)加州一個(gè)小公司叫納維塔斯，不曉得有沒(méi)有被人家買掉，前一段時(shí)間我看他們做的是不錯(cuò)的。法國(guó)也有一家公司被ST、Micron買了。

剛剛也提到，以色列還是有很多好公司可以去考慮的，因?yàn)檫@種主要是人才，這個(gè)人才也不需要很多，幾個(gè)好手來(lái)了，把我們這邊的年輕人教會(huì)，我們幾乎可以并駕齊驅(qū)。要考慮短時(shí)間之內(nèi)人才基礎(chǔ)，這是我們一個(gè)弱點(diǎn)，基礎(chǔ)可能做了，但是基礎(chǔ)跟應(yīng)用之間有一個(gè)gap，怎么去把它縮短？歐美公司做得比較好一點(diǎn)，我們就借用他們的長(zhǎng)處來(lái)學(xué)習(xí)。

所以我感覺(jué)差距不是那么大，沒(méi)有邏輯差得這么大，也沒(méi)有存儲(chǔ)器差距這么大，可以追得上的。

所以要下決心找到合適的團(tuán)隊(duì)。做這個(gè)行業(yè)里面是很寂寞，艱苦的，要有很強(qiáng)的信仰的力量來(lái)支撐我們，我們就可以把它做出來(lái)。所以我是樂(lè)觀，相信我們追得上。

　　嘉賓簡(jiǎn)介

張汝京，曾在德州儀器工作了20年。他成功地在美國(guó)、日本、新加坡、意大利及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)創(chuàng)建并管理了10個(gè)工廠的技術(shù)開(kāi)發(fā)及IC運(yùn)作。

2000年4月，張汝京來(lái)到上海創(chuàng)辦中芯國(guó)際并擔(dān)任CEO，目標(biāo)是成為一流水平的晶圓代工廠，張汝京已經(jīng)帶領(lǐng)中芯國(guó)際在上海蓋了3座8寸晶圓廠，又買下摩托羅拉在天津的一座8寸廠，另外，在北京的一座12寸晶圓廠也已經(jīng)投產(chǎn)。

2009年11月10日，中芯國(guó)際創(chuàng)始人兼CEO張汝京宣布辭職，正式進(jìn)入LED研發(fā)制造及LED相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域，短短3年不到的時(shí)間內(nèi)，已經(jīng)在國(guó)內(nèi)投資了4家LED企業(yè)，涵蓋LED上游襯底材料、芯片和下游照明應(yīng)用領(lǐng)域，投資金額超過(guò)35億元，致力于環(huán)保與健康領(lǐng)域。

畢業(yè)于臺(tái)灣大學(xué)，于布法羅紐約州立大學(xué)獲得工程學(xué)碩士學(xué)位，并在南方衛(wèi)理公會(huì)大學(xué)獲得電子工程博士學(xué)位。